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#A914BYW-150M=P3

muRata

2020
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil #A914BYW-150M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Nennstrom 0.63 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 210 mOhm Max, Gehäusegröße 2020. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
0.63 A
DC-Widerstand (DCR)
210 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für #A914BYW-150M=P3.

Induktivität
15 µH

#A914BYW-150M=P3 hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
0.63 A

#A914BYW-150M=P3 ist für 0.63 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210 mOhm Max

#A914BYW-150M=P3 hat einen DC-Widerstand von 210 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020

#A914BYW-150M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±20%
Nennstrom0.63 A
DC-Widerstand (DCR)210 mOhm Max
Sättigungsstrom0.63 A Max
Gehäuse / Größe2020
Gehäuse / Ausführung2020
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, ±20%, Case: 2020
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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