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#B952AS-H-5R1N=P3

muRata

SMD,10.4x10.4mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil #B952AS-H-5R1N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.1uH, Nennstrom 3.8A, Gleichstromwiderstand (DCR) 26 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,10.4x10.4mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.1uH
Nennstrom
3.8A
DC-Widerstand (DCR)
26 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für #B952AS-H-5R1N=P3.

Induktivität
5.1uH

#B952AS-H-5R1N=P3 hat eine Induktivität von 5.1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.8A

#B952AS-H-5R1N=P3 ist für 3.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
26 mOhm Max

#B952AS-H-5R1N=P3 hat einen DC-Widerstand von 26 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,10.4x10.4mm

#B952AS-H-5R1N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,10.4x10.4mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität5.1uH
Toleranz±30%
Nennstrom3.8A
DC-Widerstand (DCR)26 mOhm Max
Sättigungsstrom4.9A
Gehäuse / GrößeSMD,10.4x10.4mm
Gehäuse / AusführungSMD,10.4x10.4mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 5.1uH, ±30%, Rated current: 3.8A, Saturation current: 4.9A, Case: SMD,10.4x10.4mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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