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#B966BS-331M=P3

muRata

SMD,10.4x10.4mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil #B966BS-331M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330uH, Nennstrom 680mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 760 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,10.4x10.4mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330uH
Nennstrom
680mA
DC-Widerstand (DCR)
760 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für #B966BS-331M=P3.

Induktivität
330uH

#B966BS-331M=P3 hat eine Induktivität von 330uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
680mA

#B966BS-331M=P3 ist für 680mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
760 mOhm Max

#B966BS-331M=P3 hat einen DC-Widerstand von 760 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,10.4x10.4mm

#B966BS-331M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,10.4x10.4mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität330uH
Toleranz±20%
Nennstrom680mA
DC-Widerstand (DCR)760 mOhm Max
Sättigungsstrom690mA
Gehäuse / GrößeSMD,10.4x10.4mm
Gehäuse / AusführungSMD,10.4x10.4mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 330uH, ±20%, Rated current: 680mA, Saturation current: 690mA, Case: SMD,10.4x10.4mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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