Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil #FSLM2520-100J=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 155mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ω, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für #FSLM2520-100J=P2.
#FSLM2520-100J=P2 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
#FSLM2520-100J=P2 ist für 155mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
#FSLM2520-100J=P2 hat einen DC-Widerstand von 2.2Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
#FSLM2520-100J=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 155mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.2Ω |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 10uH, ±5%, Rated current: 155mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |