Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil #FSLM2520-2R2J=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 210mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.3Ω, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für #FSLM2520-2R2J=P2.
#FSLM2520-2R2J=P2 hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
#FSLM2520-2R2J=P2 ist für 210mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
#FSLM2520-2R2J=P2 hat einen DC-Widerstand von 1.3Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
#FSLM2520-2R2J=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von #FSLM2520-2R2J=P2 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 210mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.3Ω |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2uH, ±5%, Rated current: 210mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |