Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 050AT8201VLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 8.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 8mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 050AT8201VLF.
050AT8201VLF hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
050AT8201VLF ist für 8.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
050AT8201VLF hat einen DC-Widerstand von 8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
050AT8201VLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 8.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 8mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.625" Dia x 0.300" L (15.88mm x 7.62mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 8.2A 8 MOHM TH |
| Serie | AT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 35MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
