Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 059AT7503V von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750 µH, Nennstrom 2.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 240mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 059AT7503V.
059AT7503V hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
059AT7503V ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
059AT7503V hat einen DC-Widerstand von 240mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
059AT7503V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 750 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 240mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.7A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 1.100" Dia x 0.475" W (27.94mm x 12.06mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 750UH 2.1A 240 MOHM TH |
| Serie | AT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 600kHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
