Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 059KM2502VLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 25 µH, Nennstrom 9.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 11mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 059KM2502VLF.
059KM2502VLF hat eine Induktivität von 25 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
059KM2502VLF ist für 9.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
059KM2502VLF hat einen DC-Widerstand von 11mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
059KM2502VLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 25 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 9.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 11mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 8.3A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 1.100" Dia (27.94mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 25UH 9.8A 11 MOHM TH |
| Serie | KM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 8MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.475" (12.06mm) |
