Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 059KM5002VLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 50 µH, Nennstrom 6.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 059KM5002VLF.
059KM5002VLF hat eine Induktivität von 50 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
059KM5002VLF ist für 6.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
059KM5002VLF hat einen DC-Widerstand von 22mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
059KM5002VLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 50 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 6.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 22mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5.7A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 1.100" Dia (27.94mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 50UH 6.9A 22 MOHM TH |
| Serie | KM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 4MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.475" (12.06mm) |
