Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 0819-02J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 835 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 0819-02J.
0819-02J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
0819-02J ist für 835 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
0819-02J hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
0819-02J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 835 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | Through Hole |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 835MA 150 MOHM |
| Serie | 819 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 35 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 650MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.078" Dia x 0.200" L (1.98mm x 5.08mm) |