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1008R-182H

Delevan

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1.8UH 457MA 720 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
457 mA
DC-Widerstand (DCR)
720mOhm Max
Abmessungen
0.105" L x 0.095" W (2.66mm x 2.41mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1008R-182H.

Induktivität
1.8 µH

1008R-182H hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
457 mA

1008R-182H ist für 457 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
720mOhm Max

1008R-182H hat einen DC-Widerstand von 720mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

1008R-182H verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±3%
Nennstrom457 mA
DC-Widerstand (DCR)720mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.105" L x 0.095" W (2.66mm x 2.41mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantDelevan
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 457MA 720 MOHM
Serie1008R
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz76MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.085" (2.16mm)
Merkmalehttps://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/1008R-182H/4182761

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