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10M110J

10M110J

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 110NH 1.309A 85 MOHM

Technische Daten

Induktivität
110 nH
Nennstrom
1.309 A
DC-Widerstand (DCR)
85mOhm Max
Abmessungen
0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M110J.

Induktivität
110 nH

10M110J hat eine Induktivität von 110 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.309 A

10M110J ist für 1.309 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
85mOhm Max

10M110J hat einen DC-Widerstand von 85mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

10M110J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität110 nH
Toleranz±5%
Nennstrom1.309 A
DC-Widerstand (DCR)85mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 110NH 1.309A 85 MOHM
Serie10M
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz660MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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