Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M430JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 430 nH, Nennstrom 670 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 325mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M430JLF.
10M430JLF hat eine Induktivität von 430 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
10M430JLF ist für 670 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
10M430JLF hat einen DC-Widerstand von 325mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
10M430JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 430 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 670 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 325mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 430NH 670MA 325 MOHM |
| Serie | 10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 345MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
