Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M510JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 510 nH, Nennstrom 589 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 420mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M510JLF.
10M510JLF hat eine Induktivität von 510 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
10M510JLF ist für 589 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
10M510JLF hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
10M510JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 510 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 589 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 420mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 510NH 589MA 420 MOHM |
| Serie | 10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 310MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
