Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M751JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 7.5 µH, Nennstrom 165 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.35Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M751JLF.
10M751JLF hat eine Induktivität von 7.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
10M751JLF ist für 165 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
10M751JLF hat einen DC-Widerstand von 2.35Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
10M751JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 7.5 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 165 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.35Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 7.5UH 165MA 2.35 OHM |
| Serie | 10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 57MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
