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10M752JLF

10M752JLF

Gowanda

Axial
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M752JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 75 µH, Nennstrom 89 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 7Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
75 µH
Nennstrom
89 mA
DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max
Abmessungen
0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M752JLF.

Induktivität
75 µH

10M752JLF hat eine Induktivität von 75 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
89 mA

10M752JLF ist für 89 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max

10M752JLF hat einen DC-Widerstand von 7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

10M752JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität75 µH
Toleranz±5%
Nennstrom89 mA
DC-Widerstand (DCR)7Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 75UH 89MA 7 OHM TH
Serie10M
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz14.5MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial

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