Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 11R223C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22uH, Nennstrom 650mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 270mΩ, Gehäusegröße Through Hole,D5xL7.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 11R223C.
11R223C hat eine Induktivität von 22uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
11R223C ist für 650mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
11R223C hat einen DC-Widerstand von 270mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
11R223C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole,D5xL7.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 22uH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 650mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 270mΩ |
| Gehäuse / Größe | Through Hole,D5xL7.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole,D5xL7.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 22uH, ±10%, Rated current: 650mA, Case: Through Hole,D5xL7.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |