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1210R-221F

1210R-221F

Delevan

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 220NH 805MA 320 MOHM

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
805 mA
DC-Widerstand (DCR)
320mOhm Max
Abmessungen
0.128" L x 0.095" W (3.26mm x 2.41mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1210R-221F.

Induktivität
220 nH

1210R-221F hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
805 mA

1210R-221F ist für 805 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
320mOhm Max

1210R-221F hat einen DC-Widerstand von 320mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

1210R-221F verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±1%
Nennstrom805 mA
DC-Widerstand (DCR)320mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.128" L x 0.095" W (3.26mm x 2.41mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantDelevan
BeschreibungFIXED IND 220NH 805MA 320 MOHM
Serie1210R
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialIron
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz350MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.101" (2.57mm)
Merkmalehttps://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/1210R-221F/4185179

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