Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1210R-821F von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 556 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 670mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1210R-821F.
1210R-821F hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1210R-821F ist für 556 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1210R-821F hat einen DC-Widerstand von 670mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1210R-821F verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±1% |
| Nennstrom | 556 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 670mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.128" L x 0.095" W (3.26mm x 2.41mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 556MA 670 MOHM |
| Serie | 1210R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 140MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.101" (2.57mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/1210R-821F/4185270 |
