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1217AS-H-150M=P3

muRata

SMD,8.3x8.3mm

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1217AS-H-150M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15uH, Nennstrom 3.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 52.8mΩ, Gehäusegröße SMD,8.3x8.3mm. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
15uH
Nennstrom
3.3 A
DC-Widerstand (DCR)
52.8mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1217AS-H-150M=P3.

Induktivität
15uH

1217AS-H-150M=P3 hat eine Induktivität von 15uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.3 A

1217AS-H-150M=P3 ist für 3.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
52.8mΩ

1217AS-H-150M=P3 hat einen DC-Widerstand von 52.8mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,8.3x8.3mm

1217AS-H-150M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8.3x8.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität15uH
Toleranz±20%
Nennstrom3.3 A
DC-Widerstand (DCR)52.8mΩ
Sättigungsstrom3.3A
Gehäuse / GrößeSMD,8.3x8.3mm
Gehäuse / AusführungSMD,8.3x8.3mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 15uH, ±20%, Saturation current: 3.3A, Case: SMD,8.3x8.3mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz