Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1225AS-H-100M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 0.58 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mΩ, Gehäusegröße SMD,3.2x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1225AS-H-100M=P2.
1225AS-H-100M=P2 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1225AS-H-100M=P2 ist für 0.58 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1225AS-H-100M=P2 hat einen DC-Widerstand von 300mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1225AS-H-100M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.2x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 0.58 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 300mΩ |
| Sättigungsstrom | 580mA |
| Gehäuse / Größe | SMD,3.2x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3.2x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Saturation current: 580mA, Case: SMD,3.2x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |