Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1227AS-H-100M=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 1.2A, Gehäusegröße SMD,3.2x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1227AS-H-100M=P2.
1227AS-H-100M=P2 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1227AS-H-100M=P2 ist für 1.2A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1227AS-H-100M=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.2x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 1227AS-H-100M=P2 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.2A |
| Sättigungsstrom | 750mA |
| Gehäuse / Größe | SMD,3.2x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3.2x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Rated current: 1.2A, Saturation current: 750mA, Case: SMD,3.2x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |