Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1227AS-H-1R0N=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 3.7A, Gehäusegröße SMD,3.2x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1227AS-H-1R0N=P2.
1227AS-H-1R0N=P2 hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1227AS-H-1R0N=P2 ist für 3.7A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1227AS-H-1R0N=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.2x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 1227AS-H-1R0N=P2 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 3.7A |
| Sättigungsstrom | 2.3A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3.2x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3.2x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±30%, Rated current: 3.7A, Saturation current: 2.3A, Case: SMD,3.2x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |