Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1227AS-H-1R5N=P2 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5uH, Gleichstromwiderstand (DCR) 32mΩ, Gehäusegröße SMD,3.2x3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1227AS-H-1R5N=P2.
1227AS-H-1R5N=P2 hat eine Induktivität von 1.5uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1227AS-H-1R5N=P2 hat einen DC-Widerstand von 32mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1227AS-H-1R5N=P2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.2x3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.5uH |
| Toleranz | ±30% |
| DC-Widerstand (DCR) | 32mΩ |
| Sättigungsstrom | 2A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3.2x3mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3.2x3mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1.5uH, ±30%, Saturation current: 2A, Case: SMD,3.2x3mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |