Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1229AS-H-R68N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680nH, Nennstrom 2.25A, Gehäusegröße SMD,3.7x3.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1229AS-H-R68N=P3.
1229AS-H-R68N=P3 hat eine Induktivität von 680nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1229AS-H-R68N=P3 ist für 2.25A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1229AS-H-R68N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.7x3.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 680nH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2.25A |
| Sättigungsstrom | 2.5A |
| Gehäuse / Größe | SMD,3.7x3.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,3.7x3.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 680nH, ±30%, Rated current: 2.25A, Saturation current: 2.5A, Case: SMD,3.7x3.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |