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1231AS-H-3R3M=P3

muRata

SMD,3.9x3.7mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1231AS-H-3R3M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 2.25A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,3.9x3.7mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3uH
Nennstrom
2.25A
DC-Widerstand (DCR)
60 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1231AS-H-3R3M=P3.

Induktivität
3.3uH

1231AS-H-3R3M=P3 hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.25A

1231AS-H-3R3M=P3 ist für 2.25A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60 mOhm Max

1231AS-H-3R3M=P3 hat einen DC-Widerstand von 60 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,3.9x3.7mm

1231AS-H-3R3M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,3.9x3.7mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität3.3uH
Toleranz±20%
Nennstrom2.25A
DC-Widerstand (DCR)60 mOhm Max
Sättigungsstrom1.6A
Gehäuse / GrößeSMD,3.9x3.7mm
Gehäuse / AusführungSMD,3.9x3.7mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 2.25A, Saturation current: 1.6A, Case: SMD,3.9x3.7mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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