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1234AS-H-2R4M=P3

muRata

SMD,4.7x4.5mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1234AS-H-2R4M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.4uH, Nennstrom 1.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 84 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4.7x4.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.4uH
Nennstrom
1.9 A
DC-Widerstand (DCR)
84 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1234AS-H-2R4M=P3.

Induktivität
2.4uH

1234AS-H-2R4M=P3 hat eine Induktivität von 2.4uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.9 A

1234AS-H-2R4M=P3 ist für 1.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
84 mOhm Max

1234AS-H-2R4M=P3 hat einen DC-Widerstand von 84 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,4.7x4.5mm

1234AS-H-2R4M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4.7x4.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.4uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.9 A
DC-Widerstand (DCR)84 mOhm Max
Sättigungsstrom1.9 A Max
Gehäuse / GrößeSMD,4.7x4.5mm
Gehäuse / AusführungSMD,4.7x4.5mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 2.4uH, ±20%, Case: SMD,4.7x4.5mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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