Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1235AS-H-1R2N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2uH, Nennstrom 2.9A, Gleichstromwiderstand (DCR) 47 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4.7x4.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1235AS-H-1R2N=P3.
1235AS-H-1R2N=P3 hat eine Induktivität von 1.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1235AS-H-1R2N=P3 ist für 2.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1235AS-H-1R2N=P3 hat einen DC-Widerstand von 47 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1235AS-H-1R2N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4.7x4.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 1235AS-H-1R2N=P3 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2.9A |
| DC-Widerstand (DCR) | 47 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.5A |
| Gehäuse / Größe | SMD,4.7x4.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,4.7x4.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1.2uH, ±30%, Rated current: 2.9A, Saturation current: 3.5A, Case: SMD,4.7x4.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |