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1235AS-H-6R8M=P3

muRata

SMD,4.7x4.5mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1235AS-H-6R8M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8uH, Nennstrom 1.9A, Gleichstromwiderstand (DCR) 106 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,4.7x4.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8uH
Nennstrom
1.9A
DC-Widerstand (DCR)
106 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1235AS-H-6R8M=P3.

Induktivität
6.8uH

1235AS-H-6R8M=P3 hat eine Induktivität von 6.8uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.9A

1235AS-H-6R8M=P3 ist für 1.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
106 mOhm Max

1235AS-H-6R8M=P3 hat einen DC-Widerstand von 106 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,4.7x4.5mm

1235AS-H-6R8M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,4.7x4.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.9A
DC-Widerstand (DCR)106 mOhm Max
Sättigungsstrom1.7A
Gehäuse / GrößeSMD,4.7x4.5mm
Gehäuse / AusführungSMD,4.7x4.5mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 6.8uH, ±20%, Rated current: 1.9A, Saturation current: 1.7A, Case: SMD,4.7x4.5mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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