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1248AS-H-4R7N=P3

muRata

SMD,8x8mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1248AS-H-4R7N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 5.3A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22.8 mOhm Max, Gehäusegröße SMD,8x8mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
5.3A
DC-Widerstand (DCR)
22.8 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1248AS-H-4R7N=P3.

Induktivität
4.7uH

1248AS-H-4R7N=P3 hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.3A

1248AS-H-4R7N=P3 ist für 5.3A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
22.8 mOhm Max

1248AS-H-4R7N=P3 hat einen DC-Widerstand von 22.8 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,8x8mm

1248AS-H-4R7N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8x8mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±30%
Nennstrom5.3A
DC-Widerstand (DCR)22.8 mOhm Max
Sättigungsstrom6.2A
Gehäuse / GrößeSMD,8x8mm
Gehäuse / AusführungSMD,8x8mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 4.7uH, ±30%, Rated current: 5.3A, Saturation current: 6.2A, Case: SMD,8x8mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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