Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1255AY-3R9N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9uH, Nennstrom 4.2A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22 mOhm ±20%, Gehäusegröße SMD,6x6mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1255AY-3R9N=P3.
1255AY-3R9N=P3 hat eine Induktivität von 3.9uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1255AY-3R9N=P3 ist für 4.2A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1255AY-3R9N=P3 hat einen DC-Widerstand von 22 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1255AY-3R9N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,6x6mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.9uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 4.2A |
| DC-Widerstand (DCR) | 22 mOhm ±20% |
| Sättigungsstrom | 4.7A |
| Gehäuse / Größe | SMD,6x6mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,6x6mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 3.9uH, ±30%, Rated current: 4.2A, Saturation current: 4.7A, Case: SMD,6x6mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |