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1264EY-1R5N=P3

muRata

SMD,6x6mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1264EY-1R5N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5uH, Nennstrom 5.5A, Gleichstromwiderstand (DCR) 14 mOhm ±20%, Gehäusegröße SMD,6x6mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5uH
Nennstrom
5.5A
DC-Widerstand (DCR)
14 mOhm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1264EY-1R5N=P3.

Induktivität
1.5uH

1264EY-1R5N=P3 hat eine Induktivität von 1.5uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.5A

1264EY-1R5N=P3 ist für 5.5A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14 mOhm ±20%

1264EY-1R5N=P3 hat einen DC-Widerstand von 14 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,6x6mm

1264EY-1R5N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,6x6mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5uH
Toleranz±30%
Nennstrom5.5A
DC-Widerstand (DCR)14 mOhm ±20%
Sättigungsstrom8.3A
Gehäuse / GrößeSMD,6x6mm
Gehäuse / AusführungSMD,6x6mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 1.5uH, ±30%, Rated current: 5.5A, Saturation current: 8.3A, Case: SMD,6x6mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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