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1267AY-101M=P3

muRata

SMD,8.3x8.3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1267AY-101M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100uH, Nennstrom 1.1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 280 mOhm ±20%, Gehäusegröße SMD,8.3x8.3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100uH
Nennstrom
1.1A
DC-Widerstand (DCR)
280 mOhm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1267AY-101M=P3.

Induktivität
100uH

1267AY-101M=P3 hat eine Induktivität von 100uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1A

1267AY-101M=P3 ist für 1.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
280 mOhm ±20%

1267AY-101M=P3 hat einen DC-Widerstand von 280 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,8.3x8.3mm

1267AY-101M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8.3x8.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität100uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1A
DC-Widerstand (DCR)280 mOhm ±20%
Sättigungsstrom1.1A
Gehäuse / GrößeSMD,8.3x8.3mm
Gehäuse / AusführungSMD,8.3x8.3mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 100uH, ±20%, Rated current: 1.1A, Saturation current: 1.1A, Case: SMD,8.3x8.3mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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