Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1273AS-H-100M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 2.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 54mΩ, Gehäusegröße SMD,8x8mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1273AS-H-100M=P3.
1273AS-H-100M=P3 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1273AS-H-100M=P3 ist für 2.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1273AS-H-100M=P3 hat einen DC-Widerstand von 54mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1273AS-H-100M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8x8mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 54mΩ |
| Sättigungsstrom | 2.9A |
| Gehäuse / Größe | SMD,8x8mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,8x8mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Saturation current: 2.9A, Case: SMD,8x8mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |