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1274AS-H-100M=P3

muRata

SMD,10.3x10.3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1274AS-H-100M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 4.4A, Gleichstromwiderstand (DCR) 25.3 mOhm ±20%, Gehäusegröße SMD,10.3x10.3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10uH
Nennstrom
4.4A
DC-Widerstand (DCR)
25.3 mOhm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1274AS-H-100M=P3.

Induktivität
10uH

1274AS-H-100M=P3 hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.4A

1274AS-H-100M=P3 ist für 4.4A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
25.3 mOhm ±20%

1274AS-H-100M=P3 hat einen DC-Widerstand von 25.3 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,10.3x10.3mm

1274AS-H-100M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,10.3x10.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10uH
Toleranz±20%
Nennstrom4.4A
DC-Widerstand (DCR)25.3 mOhm ±20%
Sättigungsstrom6.2A
Gehäuse / GrößeSMD,10.3x10.3mm
Gehäuse / AusführungSMD,10.3x10.3mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 10uH, ±20%, Rated current: 4.4A, Saturation current: 6.2A, Case: SMD,10.3x10.3mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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