Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 12RS683C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68uH, Nennstrom 1.8A, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mΩ, Gehäusegröße Through Hole-4P,D10.5xL10.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 12RS683C.
12RS683C hat eine Induktivität von 68uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
12RS683C ist für 1.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
12RS683C hat einen DC-Widerstand von 150mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
12RS683C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole-4P,D10.5xL10.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 12RS683C weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 68uH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 1.8A |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mΩ |
| Gehäuse / Größe | Through Hole-4P,D10.5xL10.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole-4P,D10.5xL10.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 68uH, ±15%, Rated current: 1.8A, Case: Through Hole-4P,D10.5xL10.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |