Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 13R332C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 4.8A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13mΩ, Gehäusegröße Through Hole,D9.5xL13.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 13R332C.
13R332C hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
13R332C ist für 4.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
13R332C hat einen DC-Widerstand von 13mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
13R332C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole,D9.5xL13.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.8A |
| DC-Widerstand (DCR) | 13mΩ |
| Gehäuse / Größe | Through Hole,D9.5xL13.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole,D9.5xL13.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 4.8A, Case: Through Hole,D9.5xL13.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |