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15MG121K

15MG121K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 15MG121K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 420mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max
Abmessungen
0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 15MG121K.

Induktivität
1.2 µH

15MG121K hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

15MG121K ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max

15MG121K hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

15MG121K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)420mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 650MA 420 MOHM
Serie15MG
ProduktstatusActive
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz33 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial

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