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1812R-272J

1812R-272J

Delevan

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.7UH 517MA 750 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
517 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1812R-272J.

Induktivität
2.7 µH

1812R-272J hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
517 mA

1812R-272J ist für 517 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max

1812R-272J hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

1812R-272J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom517 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantDelevan
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 517MA 750 MOHM
Serie1812R
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134" (3.40mm)
Merkmale-

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