Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1812R-821J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 354 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.6Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1812R-821J.
1812R-821J hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1812R-821J ist für 354 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1812R-821J hat einen DC-Widerstand von 1.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1812R-821J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 354 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.6Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 354MA 1.6 OHM |
| Serie | 1812R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 140MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.190" (4.83mm) |