Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19F433J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 430 µH, Nennstrom 185 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8.1Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19F433J.
19F433J hat eine Induktivität von 430 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19F433J ist für 185 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19F433J hat einen DC-Widerstand von 8.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19F433J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 430 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 185 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8.1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 430UH 185MA 8.1 OHM TH |
| Serie | 19F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.3MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
