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19F563JLF

19F563JLF

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 560UH 172MA 9.4 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
560 µH
Nennstrom
172 mA
DC-Widerstand (DCR)
9.4Ohm Max
Abmessungen
0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19F563JLF.

Induktivität
560 µH

19F563JLF hat eine Induktivität von 560 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
172 mA

19F563JLF ist für 172 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9.4Ohm Max

19F563JLF hat einen DC-Widerstand von 9.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

19F563JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität560 µH
Toleranz±5%
Nennstrom172 mA
DC-Widerstand (DCR)9.4Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 560UH 172MA 9.4 OHM TH
Serie19F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz3.6MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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