Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19F563JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 µH, Nennstrom 172 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 9.4Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19F563JLF.
19F563JLF hat eine Induktivität von 560 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19F563JLF ist für 172 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19F563JLF hat einen DC-Widerstand von 9.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19F563JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 172 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 9.4Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 560UH 172MA 9.4 OHM TH |
| Serie | 19F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.6MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
