Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19M513J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 510 µH, Nennstrom 93 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.6Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19M513J.
19M513J hat eine Induktivität von 510 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19M513J ist für 93 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19M513J hat einen DC-Widerstand von 11.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19M513J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 510 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 93 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 11.6Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 510UH 93MA 11.6 OHM TH |
| Serie | 19M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 65 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.8MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
