Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19R475C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7mH, Nennstrom 350mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.5Ω, Gehäusegröße Through Hole,D12xL21mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19R475C.
19R475C hat eine Induktivität von 4.7mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19R475C ist für 350mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19R475C hat einen DC-Widerstand von 3.5Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19R475C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole,D12xL21mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7mH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 350mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.5Ω |
| Gehäuse / Größe | Through Hole,D12xL21mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole,D12xL21mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 4.7mH, ±10%, Rated current: 350mA, Case: Through Hole,D12xL21mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |