Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19R683C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68uH, Nennstrom 2.9A, Gleichstromwiderstand (DCR) 55mΩ, Gehäusegröße Through Hole,D12xL21mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19R683C.
19R683C hat eine Induktivität von 68uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19R683C ist für 2.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19R683C hat einen DC-Widerstand von 55mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19R683C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole,D12xL21mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 68uH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2.9A |
| DC-Widerstand (DCR) | 55mΩ |
| Gehäuse / Größe | Through Hole,D12xL21mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole,D12xL21mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 68uH, ±10%, Rated current: 2.9A, Case: Through Hole,D12xL21mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |