Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1B503LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 500 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 560mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1B503LF.
1B503LF hat eine Induktivität von 500 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1B503LF ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1B503LF hat einen DC-Widerstand von 560mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1B503LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 500 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 560mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.500" Dia x 1.100" L (12.70mm x 27.94mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 500UH 1A 560 MOHM TH |
| Serie | 1B |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
