Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 2510R-26F von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 385 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 320mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 2510R-26F.
2510R-26F hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
2510R-26F ist für 385 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
2510R-26F hat einen DC-Widerstand von 320mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
2510R-26F verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Toleranz | ±1% |
| Nennstrom | 385 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 320mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.255" L x 0.105" W (6.48mm x 2.67mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 1.2UH 385MA 320 MOHM |
| Serie | 2510R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 160MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.110" (2.79mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/2510R-26F/4190351 |
