Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 26HF1002V von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 2.25 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 26HF1002V.
26HF1002V hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
26HF1002V ist für 2.25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
26HF1002V hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
26HF1002V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2.25 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.320" Dia x 0.150" L (8.13mm x 3.81mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 2.25A 50 MOHM TH |
| Serie | HF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 35MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
