Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 26HF2003VLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 µH, Nennstrom 795 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 400mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 26HF2003VLF.
26HF2003VLF hat eine Induktivität von 200 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
26HF2003VLF ist für 795 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
26HF2003VLF hat einen DC-Widerstand von 400mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
26HF2003VLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 795 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 400mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 600mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.320" Dia x 0.150" L (8.13mm x 3.81mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 200UH 795MA 400 MOHM |
| Serie | HF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
