Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 3B502LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 50 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 3B502LF.
3B502LF hat eine Induktivität von 50 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
3B502LF ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
3B502LF hat einen DC-Widerstand von 75mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
3B502LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 50 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 75mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.500" Dia x 0.850" L (12.70mm x 21.59mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 50UH 3A 75 MOHM TH |
| Serie | 3B |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
